图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 文档 |
Mold Compound 08/April/2008 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 250mV @ 10mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 100mA, 1V |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 频率转换 | 100MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6SuperSOT |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 6 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 A |
| 最小直流电流增益 | 100@10mA@1V|100@100mA@1V |
| 最大工作频率 | 100(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.25@10mA@100mA V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 700 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 700 |
| 最大基地发射极电压 | 4 |
| Maximum Transition Frequency | 100(Typ) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最大集电极基极电压 | 80 |
| 供应商封装形式 | SuperSOT |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 10mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 100mA, 1V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 4 V |
| 零件号别名 | FMBA06_NL |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
| 单位重量 | 0.001270 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.25 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.5 A |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 系列 | FMBA06 |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极电流（DC ） | 0.5 A |
| 集电极 - 基极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 80 V |
| 发射极 - 基极电压 | 4 V |
| 频率 | 100 MHz |
| 功率耗散 | 0.7 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SuperSOT |
| 元件数 | 2 |
| 直流电流增益 | 100 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 其他名称 | FMBA06CT |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 长度 | 3 mm |
| 身高 | 1 mm |
| Pd - Power Dissipation | 0.7 W |
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